典型文献
Si MEMS陀螺仪的正交耦合补偿技术
文献摘要：
为了减小正交耦合误差对硅微电子机械系统(MEMS)陀螺仪性能的影响,提高陀螺仪零偏精度,对MEMS陀螺仪正交耦合补偿技术进行研究.建立MEMS陀螺仪动力学模型,分析正交耦合产生的原因,介绍了各类正交耦合补偿机理.设计了一款可实现静电刚度补偿的MEMS陀螺仪,并利用绝缘体上硅(SOI)工艺进行制备.利用现场可编程门阵列(FPGA)实现陀螺仪静电刚度正交耦合闭环补偿,并对陀螺仪进行了测试.测试结果表明,MEMS陀螺仪经过静电刚度正交耦合补偿后,角度随机游走由0.023°/√h变为0.06°/√h,零偏不稳定性由4.58°/h提升为0.27°/h,零偏稳定性由71.86°/h提升至1.29°/h(10 s平均处理),全温范围内零偏变化量由0.648°/s降低为0.01°/s.实验结果显示,经过正交耦合静电刚度闭环补偿,陀螺仪零偏性能明显提升.
文献关键词：
微电子机械系统(MEMS);陀螺仪;绝缘体上硅(SOI);正交耦合补偿;现场可编程门阵列(FPGA)
中图分类号：
作者姓名：
任臣;王宁;杨拥军;王晓
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051
文献出处：
引用格式：
[1]任臣;王宁;杨拥军;王晓-.Si MEMS陀螺仪的正交耦合补偿技术)[J].微纳电子技术,2022(02):156-161
A类：
正交耦合补偿,静电刚度,零偏性能
B类：
Si,MEMS,陀螺仪,补偿技术,微电子机械系统,绝缘体上硅,SOI,现场可编程门阵列,FPGA,随机游走,零偏稳定性,变化量
AB值：
0.107925
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