典型文献
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究
文献摘要：
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究.分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应.结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷QBOX和QFOX.QFOX增加了漏极附近横向电场,降低了埋氧层电场,使击穿位置由体内转到表面,导致击穿电压退化.QBOX降低了埋氧层电场,降低了埋氧层压降,导致击穿电压退化.
文献关键词：
总剂量辐射;SOI pLDMOS;击穿电压;辐射陷阱电荷
中图分类号：
作者姓名：
黄柯月;吴中华;周淼;陈伟中;王钊;周锌
作者机构：
重庆邮电大学光电工程学院,重庆400060;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035
文献出处：
引用格式：
[1]黄柯月;吴中华;周淼;陈伟中;王钊;周锌-.高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究)[J].微电子学,2022(04):706-710
A类：
pLDMOS,辐射陷阱电荷,QBOX,QFOX
B类：
SOI,BV,总剂量辐射效应,偏置条件,击穿电压,退化机理,TCAD,氧化层,电离辐射,总剂量效应,转到,层压,压降
AB值：
0.19719
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