典型文献
4H-SiC基FinFET器件的单粒子瞬态效应研究
文献摘要：
深入分析新结构、新材料的单粒子瞬态(SET)效应机理是开展抗辐射加固设计的基础和前提.基于Si基14 nm SOI FinFET器件,构建了 4H-SiC基的SET仿真模型.对比分析了不同Fin材料、不同粒子能量对4H-SiC基FinFET器件SET的影响机理.结果表明,与Si材料相比,4H-SiC材料具有宽禁带的特点和较高的复合率,在高能粒子入射时形成的SET脉冲更小,其瞬态电流峰值及收集电荷量相对Si材料分别下降了 79.64％和83.35％,且随着粒子能量的增加,两者与Si材料的差值均呈幂指数增加.
文献关键词：
单粒子瞬态;FinFET器件;4H-SiC;抗辐射
中图分类号：
作者姓名：
刘保军;杨晓阔;陈名华
作者机构：
空军工程大学航空机务士官学校,河南信阳 464000;空军工程大学基础部,西安 710051
文献出处：
引用格式：
[1]刘保军;杨晓阔;陈名华-.4H-SiC基FinFET器件的单粒子瞬态效应研究)[J].电子与封装,2022(11):68-73
A类：
B类：
4H,SiC,FinFET,单粒子瞬态效应,新结构,SET,效应机理,抗辐射加固设计,SOI,禁带,入射,瞬态电流,电流峰值,集电,电荷量,别下,幂指数
AB值：
0.269785
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