典型文献
柠檬酸对CeO2磨料分散稳定性及抛光性能的影响
文献摘要：
采用柠檬酸作为pH调节剂和分散剂,针对CeO2磨料水溶液的分散性差以及浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中正硅酸乙酯(TEOS)/氮化硅(Si3N4)的去除速率选择性难以控制的问题进行了研究.分散实验结果表明,由于柠檬酸可以结合在CeO2颗粒表面从而极大提高了CeO2磨料的空间位阻,CeO2溶液的分散稳定性得到提升,因此,与酒石酸、硝酸和磷酸相比,在CeO2溶液中使用柠檬酸作为pH调节剂,可以使CeO2磨料具有更小的粒径和较低的分散度以及使CeO2溶液具有较高绝对值的Zeta电位.抛光实验结果表明,柠檬酸可以极大抑制Si3N4的去除速率,且对TEOS的去除速率影响较小,因此,使用柠檬酸作为pH调节剂和分散剂能实现TEOS/Si3N4的高去除速率选择比.同时抛光后TEOS和Si3N4薄膜具有良好的表面形貌和低的表面粗糙度.
文献关键词：
浅沟槽隔离(STI);化学机械抛光(CMP);CeO2分散;柠檬酸;速率选择性
中图分类号：
作者姓名：
续晨;周建伟;王辰伟;田源;李越;崔志慧;李森
作者机构：
河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
文献出处：
引用格式：
[1]续晨;周建伟;王辰伟;田源;李越;崔志慧;李森-.柠檬酸对CeO2磨料分散稳定性及抛光性能的影响)[J].半导体技术,2022(02):111-116
A类：
去除速率选择比
B类：
柠檬酸,CeO2,磨料,分散稳定性,抛光性能,调节剂,分散剂,水溶液,分散性,浅沟槽隔离,STI,化学机械抛光,CMP,中正,正硅酸乙酯,TEOS,氮化硅,Si3N4,速率选择性,空间位阻,酒石酸,分散度,Zeta,表面形貌,表面粗糙度
AB值：
0.243989
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
