典型文献
S波段6位高性能数字移相器
文献摘要：
采用0.25 μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2.3～3.8 GHz频段的低插入损耗、高精度、小尺寸且集成数字驱动器的6位数字移相器.移相器中的6个移相单元按45°/90°/5.625°/11.25°/180°/22.5°的顺序级联.为了改善移相精度和抑制级联散射,进一步优化了移相单元的电路设计.在2.3～3.8 GHz频率范围内,数字移相器的相位均方根误差最大值为4°,输入输出电压驻波比小于1.4,插入损耗小于4dB,各状态的幅度波动小于0.8 dB,芯片尺寸为 2.44 mm×1.52 mm.
文献关键词：
数字移相器;砷化镓;移相精度;级联散射抑制
中图分类号：
作者姓名：
张飞;曹智慧;叶坤;于天新;汤正波
作者机构：
中科芯集成电路有限公司,江苏无锡 214072
文献出处：
引用格式：
[1]张飞;曹智慧;叶坤;于天新;汤正波-.S波段6位高性能数字移相器)[J].电子与封装,2022(12):58-62
A类：
级联散射抑制
B类：
波段,数字移相器,砷化镓,GaAs,赝配高电子迁移率晶体管,PHEMT,GHz,频段,低插入损耗,小尺寸,数字驱动,驱动器,移相精度,电路设计,输入输出,输出电压,电压驻波比,4dB,芯片尺寸
AB值：
0.246151
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