典型文献
5～20 GHz具有正斜率增益的超宽带放大器
文献摘要：
在宽带相控阵系统中,随着频率的增加,开关、移相器、衰减器等无源元件的插入损耗随着频率增加而增大,即具有负斜率增益.无源元件的负斜率增益特性使得宽带相控阵系统的增益不平坦.针对这个问题,提出了一款5～20 GHz具有正斜率增益的超宽带放大器,用于补偿无源元件在宽频带内的负斜率增益,以取得相控阵系统整体增益平坦的效果.该超宽带放大器采用三级分布式放大器结构,并采用共发射极共集电极级联结构以取得更高的增益.同时,使用基于发射极的并联RC网络的反馈技术,实现了增益的正斜率.该放大器采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺设计并流片.测试结果表明,在5、15和20 GHz时放大器增益分别为9.8、16.0和18.1 dB.在5～20 GHz频率范围内,该放大器具有8.3 dB的增益补偿能力,带内噪声系数最小值为3.7dB,输入、输出回波损耗均小于-10 dB,1 dB压缩点输出功率大于8.5 dBm,芯片面积为 0.70 mm×0.94 mm.
文献关键词：
分布式放大器;超宽带;正斜率增益;锗硅(SiGe);相控阵
中图分类号：
作者姓名：
蔡晓波;汪粲星;张浩
作者机构：
中国电子科技集团公司第十四研究所,南京 210039;网络通信与安全紫金山实验室,南京 211111
文献出处：
引用格式：
[1]蔡晓波;汪粲星;张浩-.5～20 GHz具有正斜率增益的超宽带放大器)[J].半导体技术,2022(09):732-736,754
A类：
正斜率增益,分布式放大器
B类：
GHz,超宽带放大器,宽带相控阵,移相器,衰减器,无源元件,插入损耗,宽频带,系统整体,增益平坦,共发射极,集电极,级联结构,RC,SiGe,BiCMOS,工艺设计,流片,增益补偿,补偿能力,内噪声,噪声系数,最小值,7dB,回波损耗,输出功率,dBm
AB值：
0.249327
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