典型文献
一种高频超宽带低插损大衰减范围CMOS数字步进衰减器
文献摘要：
设计并实现了一种基于65 nm CMOS工艺的低插入损耗大衰减范围的高频超宽带数字步进衰减器.采用桥T型和π型衰减网络的开关内嵌式衰减结构,该结构具有端口匹配好、衰减精度高的特点;采用恒定负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了高频超宽带性能;采用高匹配度的衰减位级联设计,实现了大衰减范围下的高精度衰减.经测试,在10 MHz～30 GHz频带范围内最大衰减量为31.5 dB,衰减步进为0.5 dB,参考态插入损耗＜3.5 dB,衰减误差均方根值＜0.45 dB.芯片总面积为2.30×1.20 mm2.
文献关键词：
数字衰减器;CMOS;超宽带;低插入损耗
中图分类号：
作者姓名：
秦谋;袁波;陈罡子;李家祎;万天才
作者机构：
中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060;重庆西南集成电路设计有限责任公司,重庆401332
文献出处：
引用格式：
[1]秦谋;袁波;陈罡子;李家祎;万天才-.一种高频超宽带低插损大衰减范围CMOS数字步进衰减器)[J].微电子学,2022(06):931-935
A类：
数字衰减器
B类：
超宽带,低插损,CMOS,低插入损耗,内嵌式,端口,负压,偏置,高匹配,匹配度,级联设计,围下,MHz,GHz,频带,衰减量,dB,均方根值,总面积,mm2
AB值：
0.296625
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