典型文献
一款高增益宽带低噪声放大器的设计
文献摘要：
采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺设计了一款0.5～5 GHz高增益宽带低噪声放大器芯片.该放大器采用三级共源结构,运用负反馈技术有效地进行了输入输出阻抗匹配,针对高频增益不足问题,在共栅晶体管的栅极到地之间增加栅极电容,提高了高频增益,改善了增益平坦度,拓展了带宽.同时,放大器前两级应用电流复用技术,大大降低了电路功耗.仿真结果表明:在工作频带内,最大增益可达36.6 dB,增益平坦度为±0.4 dB,输入输出回波损耗均小于-10 dB,噪声系数小于0.9 dB,输出功率1 dB压缩点最大可达15.4 dBm,OIP3最高可达34.1 dBm,芯片版图尺寸为0.65 mm×0.87 mm.
文献关键词：
增益平坦度;共源共栅;负反馈;电流复用
中图分类号：
作者姓名：
张博;张帅;吴昊谦
作者机构：
西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121
文献出处：
引用格式：
[1]张博;张帅;吴昊谦-.一款高增益宽带低噪声放大器的设计)[J].电子元件与材料,2022(03):266-272
A类：
电流复用技术
B类：
高增益,宽带低噪声放大器,GaAs,PHEMT,工艺设计,GHz,负反馈,输入输出,输出阻抗,阻抗匹配,不足问题,晶体管,栅极,增益平坦度,两级,大大降低,功耗,工作频带,回波损耗,噪声系数,输出功率,dBm,OIP3,版图,共源共栅
AB值：
0.289886
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