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L波段高功率单刀双掷开关设计与实现
文献摘要：
选用PIN二极管设计了一款工作在L波段的高功率单刀双掷(SPDT)开关,能耐受100 W连续波功率信号.开关采用串并联结构,增大开关的隔离度的同时拓宽了带宽.通过厚膜工艺、丝网印刷制作微带线、微组装工艺完成各个器件焊接互联,完成开关的制作.开关采用-5 V/+30 V的偏置电压进行控制.实测表明:该单刀双掷开关在1～2 GHz内,插入损耗小于0.7 dB,频带内输入驻波比和输出驻波比均小于1.4,隔离度大于25 dB,在连续波100 W功率下,二极管最高温度为122.6℃,满足设计需求.
文献关键词：
PIN二极管;单刀双掷开关;高功率
中图分类号：
作者姓名：
赵桂铖;要志宏
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051
文献出处：
引用格式：
[1]赵桂铖;要志宏-.L波段高功率单刀双掷开关设计与实现)[J].微波学报,2022(01):81-84,89
A类：
B类：
波段,高功率,单刀双掷开关,PIN,二极管,SPDT,能耐,连续波,串并联结构,隔离度,厚膜,膜工艺,丝网印刷,微带线,微组装工艺,+30,偏置电压,压进,关在,GHz,插入损耗,dB,频带,入驻,驻波比,最高温度,设计需求
AB值：
0.344799
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