典型文献
5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关
文献摘要：
基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片.为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好的端口匹配;为了提高隔离度,采用了三并联多节枝的分布式架构形成高的输入阻抗状态,实现信号的全反射.芯片面积为2.1 mm×1.1 mm.在片测试结果显示,在24.25～ 29.5 GHz的5G毫米波频段内该SPDT开关实现了小于1.1 dB的极低插损和大于32 dB的高隔离度,1 dB压缩点输入功率大于26 dBm.
文献关键词：
5G毫米波;单刀双掷(SPDT)开关;GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT);低插损;高隔离
中图分类号：
作者姓名：
袁丹丹;张志浩;张艺;殷锐昊;章国豪
作者机构：
广东工业大学信息工程学院,广州 510006;河源广工大协调创新研究院,广东河源 517000
文献出处：
引用格式：
[1]袁丹丹;张志浩;张艺;殷锐昊;章国豪-.5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关)[J].半导体技术,2022(01):55-59
A类：
B类：
毫米波通信,通信用,低插损,GaAs,PHEMT,单刀双掷开关,赝配高电子迁移率晶体管,SPDT,支路,路通,四分之一,阻抗变换器,接到,天线,传输线,端口,高隔离度,多节,分布式架构,输入阻抗,全反射,在片测试,GHz,毫米波频段,输入功率,dBm
AB值：
0.256673
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
