典型文献
GaAs基PHEMT低噪声放大器的强电磁脉冲效应与机理
文献摘要：
利用Sentaurus TCAD仿真工具,建立了一种基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管的共源极低噪声放大器电路模型,通过在电路输入端口注入高功率微波,讨论了器件内部峰值温度、电场强度、电流密度和碰撞电离率等物理参数的变化,分析了器件的烧毁机理.进一步讨论了不同信号参数和端口外接电阻对器件损伤效应的影响.结果表明,电流焦耳热累积导致低噪声放大器电路中晶体管栅极下方偏漏极一侧发生烧毁,烧毁时间随注入信号功率的增大而减小,随注入信号频率的增大而增大;此外,晶体管端口外接电阻会减弱传入器件内部的能量,进而减缓器件的损伤进程,提高电路对电磁脉冲的耐受性,与漏极相比,源极外接电阻对损伤进程的减缓效果更强.
文献关键词：
GaAs赝配高电子迁移率晶体管;高功率微波;电磁脉冲;低噪声放大器;损伤效应
中图分类号：
作者姓名：
安琪;柴常春;李福星;吴涵;杨银堂
作者机构：
西安电子科技大学微电子学院;教育部宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室 西安710071
文献出处：
引用格式：
[1]安琪;柴常春;李福星;吴涵;杨银堂-.GaAs基PHEMT低噪声放大器的强电磁脉冲效应与机理)[J].现代应用物理,2022(03):141-149
A类：
B类：
GaAs,PHEMT,低噪声放大器,强电磁脉冲,脉冲效应,Sentaurus,TCAD,仿真工具,赝配高电子迁移率晶体管,放大器电路,电路模型,端口,高功率微波,峰值温度,电场强度,电流密度,电离,物理参数,烧毁,口外,外接电阻,损伤效应,焦耳热,栅极,一侧,注入信号,传入,耐受性
AB值：
0.2693
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