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立方氮化硼的研究进展
文献摘要：
立方氮化硼(c-BN)作为闪锌矿面心立方结构的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,是第三代半导体中禁带宽度最大的材料,还具有高热导率、高硬度、耐高温、耐氧化、化学稳定性好、透光波长范围广、可实现p型或n型掺杂等一系列性能优点,不仅作为超硬磨料在各行业的加工领域有广泛的应用,而且作为极端电子学材料在大功率半导体和光电子器件等领域也具有潜在的应用价值,使其适用于高温、高功率、高压、高频以及强辐射等极端环境.本文综述了历年来国内外制备c-BN晶体和外延生长c-BN薄膜的发展历程,重点关注了生长技术进步和晶体质量提高的代表性成果,并对c-BN的机械性能、光学性能以及电学性能方面的研究进展进行阐述,最后对全文内容进行总结并对c-BN应用所面临的挑战进行展望.
文献关键词：
立方氮化硼;晶体;外延生长;超硬材料;超宽禁带半导体
中图分类号：
作者姓名：
刘彩云;高伟;殷红
作者机构：
吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春 130012
文献出处：
引用格式：
[1]刘彩云;高伟;殷红-.立方氮化硼的研究进展)[J].人工晶体学报,2022(05):781-800
A类：
B类：
立方氮化硼,BN,闪锌矿,面心立方,二元化,第三代半导体,禁带宽度,高热,热导率,高硬度,耐高温,耐氧,化学稳定性,透光,光波长,系列性,超硬磨料,电子学,学材,大功率,光电子器件,高功率,极端环境,历年来,内外制,外延生长,晶体质量,质量提高,代表性成果,机械性能,光学性能,电学性能,超硬材料,超宽禁带半导体
AB值：
0.399084
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