典型文献
PVT法生长4H-SiC晶体及多型夹杂缺陷研究进展
文献摘要：
作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅因具备宽的带隙、高的热导率、高的击穿电场以及大的电子迁移速率等性能优势,被认为是制作高温、高频、高功率以及高压器件的理想材料之一,可有效突破传统硅基功率半导体器件的物理极限,并被誉为带动"新能源革命"的绿色能源器件.作为制造功率器件的核心材料,碳化硅单晶衬底的生长是关键,尤其是单一4H-SiC晶型制备.各晶型体结构之间有着良好的结晶学相容性和接近的形成自由能,导致所生长的碳化硅晶体容易形成多型夹杂缺陷并严重影响器件性能.为此,本文首先概述了物理气相传输(PVT)法制备碳化硅晶体的基本原理、生长过程以及存在的问题,然后针对多型夹杂缺陷的产生给出了可能的诱导因素并对相关机理进行解释,进一步介绍了常见的碳化硅晶型结构鉴别方式,最后对碳化硅晶体研究作出展望.
文献关键词：
碳化硅晶体;物理气相传输;堆垛次序;多型夹杂;缺陷抑制;晶型鉴别
中图分类号：
作者姓名：
王宇;顾鹏;付君;王鹏刚;雷沛;袁丽
作者机构：
北京大学地球与空间科学学院,北京 100871;眉山博雅新材料股份有限公司,眉山 620000;眉山天乐半导体材料有限公司,眉山 620000
文献出处：
引用格式：
[1]王宇;顾鹏;付君;王鹏刚;雷沛;袁丽-.PVT法生长4H-SiC晶体及多型夹杂缺陷研究进展)[J].人工晶体学报,2022(12):2137-2152
A类：
多型夹杂,碳化硅晶体,物理气相传输,晶型鉴别
B类：
PVT,4H,SiC,夹杂缺陷,第三代半导体,半导体材料,带隙,热导率,击穿,性能优势,高功率,高压器件,硅基,功率半导体器件,被誉为,新能源革命,绿色能源,功率器件,核心材料,硅单晶,单晶衬底,结晶学,相容性,自由能,所生,响器,器件性能,生长过程,晶型结构,结构鉴别,鉴别方式,出展,堆垛次序,缺陷抑制
AB值：
0.294604
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