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半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究
文献摘要：
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料.得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及SiC器件制造.根据腐蚀机制不同,湿法腐蚀可以分为电化学腐蚀和化学腐蚀.本文综述了不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理、腐蚀装置和应用领域,并展望了SiC湿法腐蚀工艺的发展前景.
文献关键词：
碳化硅;湿法腐蚀;电化学腐蚀;化学腐蚀;晶体缺陷;晶体表面
中图分类号：
作者姓名：
张序清;罗昊;李佳君;王蓉;杨德仁;皮孝东
作者机构：
浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学院,杭州 310027;浙江大学杭州国际科创中心,杭州 311200
文献出处：
引用格式：
[1]张序清;罗昊;李佳君;王蓉;杨德仁;皮孝东-.半导体碳化硅湿法腐蚀工艺研究)[J].人工晶体学报,2022(02):333-343
A类：
B类：
碳化硅,湿法腐蚀,腐蚀工艺,SiC,禁带宽度,漂移,击穿场强,热导率,化学稳定性,功率器件,半导体器件,备要,晶体缺陷,缺陷分析,表面改性,晶体生长,质量检测,腐蚀机制,电化学腐蚀,腐蚀机理,晶体表面
AB值：
0.270779
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