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高温溶液法生长SiC单晶的研究进展
文献摘要：
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力.高质量、大尺寸、低成本SiC单晶衬底的制备是实现SiC器件大规模应用的前提.受技术与工艺水平限制,目前SiC单晶衬底供应仍面临缺陷密度高、成品率低和成本高等问题.高温溶液生长(high temperature solution growth,HTSG)法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易扩径、易实现p型掺杂等独特的优势,有望成为大规模量产SiC单晶的主要方法之一,目前该方法的主流技术模式是顶部籽晶溶液生长(top seeded solution growth,TSSG)法.本文首先回顾总结了TSSG法生长SiC单晶的发展历程,接着介绍和分析了该方法的基本原理和生长过程,然后从晶体生长热力学和动力学两方面总结了该方法的研究进展,并归纳了该方法的优势,最后分析了TSSG法生长SiC单晶技术在未来的研究重点和发展方向.
文献关键词：
宽禁带半导体;碳化硅;高温溶液法;顶部籽晶溶液法;助熔剂;晶体生长
中图分类号：
作者姓名：
王国宾;李辉;盛达;王文军;陈小龙
作者机构：
中国科学院物理研究所,北京 100190;中国科学院大学,北京 100049;东莞松山湖材料实验室,东莞 523429
文献出处：
引用格式：
[1]王国宾;李辉;盛达;王文军;陈小龙-.高温溶液法生长SiC单晶的研究进展)[J].人工晶体学报,2022(01):3-20
A类：
HTSG,TSSG,顶部籽晶溶液法
B类：
高温溶液法,SiC,碳化硅,第三代半导体,半导体材料,禁带宽度,热导率,漂移,抗辐射性,辐射性能,热稳定性,化学稳定性,优良特性,高功率,电力电子器件,射频器件,大尺寸,单晶衬底,工艺水平,缺陷密度,密度高,成品率,high,temperature,solution,growth,结晶质量,扩径,主要方法,技术模式,top,seeded,回顾总结,生长过程,晶体生长,热力学和动力学,宽禁带半导体,助熔剂
AB值：
0.331075
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