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基于正交试验的SiC板热变形仿真分析
文献摘要：
相较于一般材料,SiC在硬度、临界击穿电场、热导率方面具有诸多优势,已经成为第三代半导体的重要材料.SiC板用于芯片制程设备时,不同厚度、不同温度下的热变形难以计算且试验测量困难,提出利用正交试验方法对SiC板的热变形开展仿真研究.回顾了热传导理论,推导出SiC板热变形的解析计算方法;设计了SiC板正交试验方案,总结了仿真热变形的流程;利用ANSYS-Workbench软件对正交试验方案进行了热力学仿真分析,并与解析方程式结果进行对比分析,结果表明SiC板在不同厚度、不同温度下热变形满足线性关系.
文献关键词：
正交试验;热变形;ANSYS-Workbench
中图分类号：
作者姓名：
董永谦;马海亮;李伟;杨卫
作者机构：
中国电子科技集团公司第二研究所,太原 030024
文献出处：
引用格式：
[1]董永谦;马海亮;李伟;杨卫-.基于正交试验的SiC板热变形仿真分析)[J].电子工艺技术,2022(06):330-333
A类：
B类：
SiC,热变形,变形仿真,击穿,热导率,第三代半导体,芯片制程,试验测量,正交试验方法,仿真研究,热传导,解析计算方法,板正,试验方案,Workbench,热力学仿真,方程式
AB值：
0.309872
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