典型文献
γ射线辐照对探测器的SiO2-Si3N4复合栅界面和暗电流的影响
文献摘要：
分析表明,利用γ射线对SiO2-Si3N4复合栅进行辐照,通过C-V曲线测试发现,经过γ射线辐照,C-V曲线向负方向漂移,C-V曲线整体抬高,平带电压向负方向漂移,界面态增大.辐照后CCD器件的暗电流变大,通过γ射线辐照对CCD的Si-SiO2界面产生损伤的机理分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生大量的复合中心引起.辐照后CCD暗电流的变化和SiO2-Si3N4复合栅界面的变化原因相同,SiO2-Si3N4复合栅界面的变化导致了CCD暗电流发生了变化.
文献关键词：
集成电路;γ射线;Si-SiO2界面;CCD;辐射损伤
中图分类号：
作者姓名：
曾武贤;钟玉杰
作者机构：
重庆光电技术研究所,重庆 400060
文献出处：
引用格式：
[1]曾武贤;钟玉杰-.γ射线辐照对探测器的SiO2-Si3N4复合栅界面和暗电流的影响)[J].集成电路应用,2022(04):4-7
A类：
场氧化层
B类：
辐照,探测器,SiO2,Si3N4,暗电流,负方,漂移,抬高,平带,带电,界面态,CCD,机理分析,栅氧化层,感生,电荷,变化原因,集成电路,辐射损伤
AB值：
0.268726
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