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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术研究进展
文献摘要：
文章首先重点介绍了国内外开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子、质子及其他辐射粒子或射线辐照实验的研究进展,然后从辐照损伤效应的仿真模拟研究、抗辐射加固技术、损伤预估方法等方面综述了 GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术的研究进展,最后梳理了当前GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应研究中亟待解决的关键技术问题,为深入开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应实验方法标准制定、损伤机理分析、在轨寿命预估及抗辐射加固技术研究提供了理论指导和实验技术支持.
文献关键词：
GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池;辐照损伤;位移效应;抗辐射加固;电子辐照;质子辐照
中图分类号：
作者姓名：
王祖军;王兴鸿;晏石兴;唐宁;崔新宇;张琦;石梦奇;黄港;聂栩;赖善坤
作者机构：
西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024;湘潭大学材料科学与工程学院,湖南湘潭411105;西安高科技研究所,西安710025;中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300384;上海空间电源研究所,上海200245
文献出处：
引用格式：
[1]王祖军;王兴鸿;晏石兴;唐宁;崔新宇;张琦;石梦奇;黄港;聂栩;赖善坤-.GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术研究进展)[J].半导体光电,2022(03):490-504
A类：
B类：
GaInP,GaAs,Ge,三结太阳电池,辐照损伤,损伤效应,加固技术,照实,仿真模拟,抗辐射加固,预估方法,效应实验,实验方法,方法标准,标准制定,损伤机理,机理分析,在轨寿命,寿命预估,实验技术,位移效应,电子辐照,质子辐照
AB值：
0.222765
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