典型文献
Flash存储器浮栅单元的总剂量效应统计性分析
文献摘要：
针对核设施机电设备中控制系统存储单元耐辐射可靠性评价的需要,以国产NOR型Flash存储器为研究对象,对器件存储阵列浮栅单元的总剂量损伤阈值开展了实验研究.综合利用SMOTE算法和Bootstrap法建立了一种基于极小子样的器件耐辐照可靠性评价方法,对被测样品校验失效剂量进行了统计分析.实验结果表明,器件浮栅单元的主要失效模式为浮栅电荷损失造成的阈值电压降低,平均校验错误剂量为(631.89±103.64)Gy(Si).统计分析表明,器件总剂量损伤阈值服从对数正态分布.基于SMOTE-Bootstrap的可靠性评价方法避免了传统Bootstrap再生样本过于集中的问题,可应用于极小子样的可靠性评价.
文献关键词：
总剂量效应;Flash存储器;可靠性分析;极小子样
中图分类号：
作者姓名：
梁润成;陈法国;郭荣;韩毅;刘兆行;张静;赵日
作者机构：
中国辐射防护研究院,太原030006
文献出处：
引用格式：
[1]梁润成;陈法国;郭荣;韩毅;刘兆行;张静;赵日-.Flash存储器浮栅单元的总剂量效应统计性分析)[J].微电子学,2022(01):150-156
A类：
极小子样
B类：
Flash,存储器,浮栅,总剂量效应,核设施,机电设备,中控,系统存储,存储单元,耐辐射,可靠性评价,NOR,存储阵列,损伤阈值,SMOTE,Bootstrap,耐辐照,校验,主要失效模式,栅电荷,阈值电压,电压降低,Gy,Si,服从,对数正态分布,可靠性分析
AB值：
0.31346
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
