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22 nm体硅nFinFET总剂量辐射效应研究
文献摘要：
通过60Coγ射线辐照试验,研究了 22 nm工艺体硅nFinFET的总剂量辐射效应,获得了总剂量辐射损伤随辐照偏置和器件结构的变化规律及损伤机理.研究结果表明,经过开态(ON)偏置辐照后器件阈值电压正向漂移,而传输态(TG)和关态(OFF)偏置辐照后器件阈值电压负向漂移;鳍数较少的器件阈值电压退化程度较大.通过分析陷阱电荷作用过程,揭示了产生上述试验现象的原因.
文献关键词：
体硅nFinFET;总剂量辐射效应;辐照偏置
中图分类号：
作者姓名：
崔旭;崔江维;郑齐文;魏莹;李豫东;郭旗
作者机构：
中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;中国科学院大学,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]崔旭;崔江维;郑齐文;魏莹;李豫东;郭旗-.22 nm体硅nFinFET总剂量辐射效应研究)[J].微电子学,2022(06):1076-1080
A类：
nFinFET,辐照偏置,电压退化程度
B类：
体硅,总剂量辐射效应,60Co,辐照试验,艺体,辐射损伤,器件结构,损伤机理,ON,阈值电压,漂移,OFF,陷阱,电荷,作用过程
AB值：
0.229327
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