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基于GaN的DC/DC变换器总剂量与单粒子辐射损伤效应研究
文献摘要：
对基于GaN的DC/DC变换器进行了总剂量、单粒子及耦合辐照效应研究,讨论了DC/DC变换器在特定负载及电压条件下,输出电压、输出电流、输出效率随不同辐照条件的变化.试验结果表明,使用GaN MOSFET开关管的DC/DC变换器在总剂量、单粒子及耦合辐照条件下,均表现出了优异的抗辐照性能,即输出电压、输出电流、输出效率等性能在三种辐照条件下均没有发生明显的退化.该DC/DC变换器实现了抗总剂量辐照能力大于1 kGy(Si)和抗单粒子LET≥75 MeV·cm2·mg-1,表明使用基于GaN的DC/DC变换器未来可广泛应用于航空、航天等供电系统领域.
文献关键词：
DC/DC变换器;总剂量辐照;单粒子辐照;辐射损伤效应
中图分类号：
作者姓名：
张琴;艾尔肯·阿不都瓦衣提;尹华;张炜楠;邓芳;龙涛;李左翰
作者机构：
云南师范大学能源与环境科学学院,昆明650500;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]张琴;艾尔肯·阿不都瓦衣提;尹华;张炜楠;邓芳;龙涛;李左翰-.基于GaN的DC/DC变换器总剂量与单粒子辐射损伤效应研究)[J].微电子学,2022(06):1055-1060
A类：
B类：
GaN,DC,变换器,单粒子辐射,辐射损伤效应,辐照效应,压条,输出电压,输出电流,输出效率,MOSFET,抗辐照性能,总剂量辐照,kGy,Si,LET,MeV,供电系统,单粒子辐照
AB值：
0.245874
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