典型文献
辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响
文献摘要:
基于0.18 μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了 60Co(315 keV)与X射线(40keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响.研究结果表明,在相同偏置条件下,60Co与X射线两种辐照源对MOS器件的辐射电离效应具有一定的差异性,前者同时具有康普顿效应和光电效应,后者是光电效应,主要是光子与内层电子作用.由LVNMOS总剂量辐照特性推测,X射线辐照源引起LVNMOS的SiO2层中产生的电子与空穴高于60Co.
文献关键词:
总剂量辐射电离;阈值电压;60Co;X射线
中图分类号:
作者姓名:
陶伟;刘国柱;宋思德;魏轶聃;赵伟
作者机构:
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214072
文献出处:
引用格式:
[1]陶伟;刘国柱;宋思德;魏轶聃;赵伟-.辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响)[J].电子与封装,2022(07):64-68
A类:
LVMOS,总剂量辐射电离,LVNMOS
B类:
CMOS,浅槽,STI,注入法,60Co,40keV,偏置条件,康普顿效应,光电效应,光子,内层,总剂量辐照,SiO2,空穴,阈值电压
AB值:
0.258793
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