典型文献
镓掺杂对氧化锌薄膜晶体管性能的影响
文献摘要：
使用磁控溅射设备在室温下以p-Si为衬底的SiO2上沉积氧化锌掺杂镓(GZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件.研究过程中,分别使用原子力显微镜和扫描电子显微镜观测薄膜的表面形貌,使用半导体参数分析仪测试器件的电学性能.实验表明,相比于纯ZnO薄膜,氧化锌掺杂镓之后的薄膜表面形貌较为平整,粗糙度较低,薄膜表面晶粒致密,结膜质量有所改善.并计算得出GZO薄膜的亚阈值摆幅为3.5V·dec-1,阈值电压为23.5V,开关电流比为4.73×105,迁移率为6.29cm2?V-1s-1,界面态陷阱密度为1.19×1013cm-2eV-1.
文献关键词：
薄膜晶体管;GZO;磁控溅射
中图分类号：
作者姓名：
高悍津;高晓红;孙玉轩;王森;张子博;杨晨
作者机构：
吉林建筑大学 电气与计算机学院,吉林长春,130000
文献出处：
引用格式：
[1]高悍津;高晓红;孙玉轩;王森;张子博;杨晨-.镓掺杂对氧化锌薄膜晶体管性能的影响)[J].电子制作,2022(10):30-32
A类：
29cm2,2eV
B类：
镓掺杂,氧化锌薄膜,薄膜晶体管,磁控溅射,衬底,SiO2,GZO,研究过程,原子力显微镜,表面形貌,参数分析,电学性能,ZnO,粗糙度,晶粒,结膜,有所改善,亚阈值摆幅,5V,dec,阈值电压,开关电流比,迁移率,1s,界面态,陷阱,1013cm
AB值：
0.354868
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
