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SiO2/SiC界面工艺技术研究现状及新进展
文献摘要：
从SiO2/SiC界面工艺技术角度着重介绍了其降低界面态密度、提升沟道电子迁移率及改善SiC MOSFET性能稳定性的机理,分析了国内外研究中有关SiC材料、SiC晶面、氧化层制备工艺和氧化后退火(POA)条件对SiO2/SiC界面的影响,总结了近年来提升SiO2/SiC界面性能的研究进展.最后分析了多种降低界面态密度的工艺方法及其优缺点,指出了未来通过结合这些工艺方法进一步改善界面质量的发展方向.
文献关键词：
SiC;界面态密度;沟道电子迁移率;晶面选择;氧化层制备工艺;氧化后退火(POA)
中图分类号：
作者姓名：
刘佳霖;刘英坤
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]刘佳霖;刘英坤-.SiO2/SiC界面工艺技术研究现状及新进展)[J].半导体技术,2022(05):346-353
A类：
沟道电子迁移率,氧化层制备工艺
B类：
SiO2,SiC,工艺技术,界面态密度,MOSFET,性能稳定性,后退火,POA,界面性能,工艺方法,晶面选择
AB值：
0.183748
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