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Nb∶SrTiO3阻变单元及1T1R复合结构的电离辐射总剂量效应研究
文献摘要：
开展了Nb∶SrTiO3阻变单元及1T1R复合结构的X射线总剂量效应实验研究.结果表明,Nb ∶SrTiO3阻变单元在累积剂量达到10 Mrad(Si)时依然能够保持良好的阻变特性,高、低阻态未发生逻辑混乱.1T1R复合结构中的NMOS选通晶体管对电离辐射较为敏感,在栅氧化层中辐射感生氧化物陷阱电荷的作用下,NMOS器件阈值电压逐渐向负方向漂移,泄漏电流逐渐增加,进一步导致关态条件下(VG=0 V)对阻变存储单元的错误读写.通过选用抗辐射加固NMOS选通晶体管,可显著提升1T1R复合结构的抗总剂量能力.
文献关键词：
Nb ∶SrTiO3阻变单元;总剂量效应;1T1R;X射线辐射
中图分类号：
作者姓名：
单月晖;连潞文;高媛;魏佳男;杜翔;唐新悦;罗婷;谭开洲;张培健
作者机构：
军委装备发展部,北京100034;中国人民解放军海军八○七厂,北京102401;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060;中国电子科技集团公司第二十九研究所,成都610072
文献出处：
引用格式：
[1]单月晖;连潞文;高媛;魏佳男;杜翔;唐新悦;罗婷;谭开洲;张培健-.Nb∶SrTiO3阻变单元及1T1R复合结构的电离辐射总剂量效应研究)[J].微电子学,2022(06):1033-1038
A类：
Mrad
B类：
Nb,SrTiO3,1T1R,复合结构,电离辐射,总剂量效应,效应实验,累积剂量,Si,保持良好,阻变特性,低阻,发生逻辑,NMOS,晶体管,栅氧化层,感生,陷阱,电荷,阈值电压,负方,漂移,泄漏电流,VG,阻变存储,存储单元,误读,读写,抗辐射加固
AB值：
0.370624
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