典型文献
一款高线性度正电压控制的压控衰减器
文献摘要：
针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)0.25μm工艺,设计了一款1～6 GHz正电压控制的高线性度微波单片压控衰减器(VCA).该压控衰减器控制管芯选择电阻变化率更小的D-mode PHEMT晶体管,通过电压浮地技术和采用片上集成隔直电容的方式,对传统的T型衰减电路的拓扑结构进行改进,从而实现0～5V的正电压控制和高线性度.芯片在片测试结果表明,基态插入损耗小于2.3 dB,端口输入、输出电压驻波比小于1.6:1,压控衰减器的衰减动态范围为0～28 dB,芯片尺寸为1.75 mm×1.35 mm×0.1 mm.
文献关键词：
砷化镓;正电压控制;高线性度;压控衰减器
中图分类号：
作者姓名：
许传栋;苏郁秋;董思源;李光超;周宏健
作者机构：
中科芯集成电路有限公司,江苏无锡214000
文献出处：
引用格式：
[1]许传栋;苏郁秋;董思源;李光超;周宏健-.一款高线性度正电压控制的压控衰减器)[J].电子设计工程,2022(21):71-74,79
A类：
正电压控制,压控衰减器
B类：
高线性度,控制信号,GaAs,赝配高电子迁移率晶体管,PHEMT,GHz,单片,VCA,制管,管芯,mode,过电压,片上集成,隔直电容,拓扑结构,5V,在片测试,基态,插入损耗,dB,端口,输出电压,电压驻波比,动态范围,芯片尺寸,砷化镓
AB值：
0.252982
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