典型文献
基于高压BCD工艺的内集成自举电路
文献摘要：
设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC).对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压充到预期值,解决了以往使用传统的内置MOS自举功能时,因充电速度慢、充电电压低所导致的触发HVIC欠压保护和电器频繁停机问题.基于SMIC 3μm BCD工艺对所设计的自举电路的HVIC进行流片验证.测试结果表明,升压电路将HVIC供电电压从15 V升高至16.4V,自举电容电压可达到预期值,同时实现了替代外接自举二极管或通过SOI工艺内置自举二极管的自举功能.
文献关键词：
高压集成电路(HVIC);BCD工艺;MOS自举电路;二极管自举电路;低电压
中图分类号：
作者姓名：
冯宇翔;左安超;李斌
作者机构：
华南理工大学微电子学院,广州510641;广东汇芯半导体有限公司,广东佛山 528216
文献出处：
引用格式：
[1]冯宇翔;左安超;李斌-.基于高压BCD工艺的内集成自举电路)[J].半导体技术,2022(02):140-144
A类：
HVIC,自举电容,二极管自举电路
B类：
BCD,MOS,高压集成电路,改进版,内置,控制模块,通电,屏蔽,升压电路,电容电压,充到,预期值,速度慢,压低,欠压保护,电器,停机问题,SMIC,流片,供电电压,4V,外接,SOI,低电压
AB值：
0.251515
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