典型文献
低损耗高集成度氮化硅阵列波导光栅波分(解)复用器
文献摘要：
氮化硅平台阵列波导光栅(AWG)波分(解)复用器具有损耗低、集成度高、温度敏感性低等优势.基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)的氮化硅集成光子工艺平台,从波导传输损耗、阵列波导与平板波导模式转换损耗、截断损耗、泄漏损耗等方面对氮化硅基AWG波光(解)复用器插入损耗进行了优化,并采用标准CMOS工艺完成低损耗C波段AWG密集波分(解)复用器制备.该氮化硅基AWG密集波分(解)复用器输出通道数为16,输出通道频率间隔200 GHz.测试结果表明,该AWG波分(解)复用器的平均插入损耗为2.34 dB,1 dB带宽为0.44 nm,3 dB带宽为0.76 nm,串扰约为-28 dB.芯片尺寸为850μm×1700 μm,较平面光波导(PLC)基AWG大大减小.
文献关键词：
光波导;低损耗;低压化学气相沉积(LPCVD);氮化硅;阵列波导光栅(AWG)
中图分类号：
作者姓名：
冯俊波;李智慧;梁宇鑫;杨忠华;赵恒;崔乃迪
作者机构：
联合微电子中心有限责任公司,重庆 401332
文献出处：
引用格式：
[1]冯俊波;李智慧;梁宇鑫;杨忠华;赵恒;崔乃迪-.低损耗高集成度氮化硅阵列波导光栅波分(解)复用器)[J].半导体技术,2022(01):19-24
A类：
氮化硅平台
B类：
低损耗,高集成度,阵列波导光栅,波分,复用器,台阵,AWG,有损,集成度高,温度敏感性,微电子,有限责任公司,CUMEC,集成光子,传输损耗,平板波导,波导模式,模式转换,漏损,硅基,波光,插入损耗,采用标准,CMOS,波段,通道数,频率间隔,GHz,dB,串扰,芯片尺寸,面光,光波导,PLC,低压化学气相沉积,LPCVD
AB值：
0.284798
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