典型文献
基于CMOS工艺的综合射频P波段变频发射芯片设计
文献摘要：
射频微系统集成对芯片满足各种工程应用需求及产品化提出了更高的需求,也为通信-雷达-电子战一体化的综合射频系统理念构建提供有效支撑.本次设计的是一款基于CMOS工艺的P波段上变频发射芯片.CMOS工艺因其与数字电路的高集成度特性,以及量产后的相对低成本特性,在射频芯片领域受到越发广泛的关注.P波段一方面可以直接作为射频频率使用,另一方面也可以作为高频两次变频超外差收发机的中间频率,有较广泛的应用空间.本次设计除了追求综合指标性能,在可靠性、温度特性、静电防护等方面进行了充分考虑和专项附加设计,芯片的测试结果说明其性能充分满足应用需求.在-55℃到125℃全温范围内,具有约为10 dB适中的变频增益,并具有负温斜率,具备较高的各端口隔离度、线性度,覆盖-10 dBm到+10 dBm的本振功率适应性,在系统应用中具有较高的实用价值,验证了设计理论的正确性.
文献关键词：
CMOS芯片;P波段;发射变频;射频综合
中图分类号：
作者姓名：
张萌;王竣;李烁星;胡彦胜
作者机构：
航天科工通信技术研究院有限责任公司,成都610051;东南大学航天科工通信技术研究院量子信息与通信联合研究中心,江苏 南京211100;成都航天通信设备有限责任公司,成都610051
文献出处：
引用格式：
[1]张萌;王竣;李烁星;胡彦胜-.基于CMOS工艺的综合射频P波段变频发射芯片设计)[J].电子器件,2022(05):1032-1038
A类：
射频微系统,发射变频
B类：
CMOS,波段,芯片设计,微系统集成,应用需求,产品化,电子战,综合射频系统,有效支撑,上变频,数字电路,高集成度,成本特性,射频芯片,频频,频率使用,超外差,收发机,应用空间,综合指标,指标性,温度特性,静电防护,加设,适中,负温,端口隔离度,线性度,dBm,+10,本振,系统应用,设计理论,射频综合
AB值：
0.403208
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
