典型文献
嵌入MEMS微流道的硅转接基板键合工艺研究
文献摘要：
以嵌入MEMS微流道的硅转接基板为研究对象,对影响微流道结构键合的回流工艺参数进行了研究,解决了微流道结构键合强度等问题.其中,探讨了助焊剂或RF等离子、回流时间、回流炉温区个数和压力等因素对回流后微流道结构性能的影响.研究表明:对待回流样件进行RF等离子处理,并在盖板上施加0.22?N压力后,采用100?s回流时间;在10温区的回流炉中完成回流后,其焊接质量达到最优,平均焊接强度值为14.83?kg;并且边缘焊接完整,可以满足微流道结构完全密封的要求,因而不会发生液体泄漏、微流道结构变形和堵塞等问题.
文献关键词：
微流道;回流焊;RF等离子;回流时间;回流温区
中图分类号：
作者姓名：
李奇哲;朱家昌;夏晨辉;王刚
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏 无锡 214035
文献出处：
引用格式：
[1]李奇哲;朱家昌;夏晨辉;王刚-.嵌入MEMS微流道的硅转接基板键合工艺研究)[J].电子产品可靠性与环境试验,2022(02):67-75
A类：
回流温区
B类：
MEMS,微流道,转接,基板,流道结构,回流工艺,键合强度,助焊剂,RF,回流时间,炉温,结构性能,样件,等离子处理,盖板,焊接质量,焊接强度,接完,全密封,液体泄漏,结构变形,回流焊
AB值：
0.323034
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