典型文献
高导热氮化硅覆铜板在功率器件中的应用可靠性
文献摘要：
采用活性金属钎焊技术制备Cu/Si3N4/Cu陶瓷覆铜板,在-65～150℃温度条件下经历500次温度循环后,基板无裂纹、翘起、起皮等缺陷.对基板进行微电子组装和可靠性试验,基板与芯片的焊接浸润性较好,焊接强度及长期可靠性满足标准要求.基板粘接元器件后无渗胶现象,且环境组考核合格.在基板上键合4种常用规格的铝丝,键合后和N2环境中热存试验后的键合强度均符合标准要求.研究结果表明,高导热氮化硅覆铜板满足功率器件的高可靠性应用需求.
文献关键词：
陶瓷基板;氮化硅;活性金属钎焊;高可靠
中图分类号：
作者姓名：
杨春燕;李留辉;郝沄;袁海
作者机构：
西安微电子技术研究所,陕西西安710119
文献出处：
引用格式：
[1]杨春燕;李留辉;郝沄;袁海-.高导热氮化硅覆铜板在功率器件中的应用可靠性)[J].电子工艺技术,2022(01):18-21
A类：
B类：
高导热,氮化硅,覆铜板,功率器件,用活,活性金属钎焊,钎焊技术,Si3N4,温度条件,温度循环,无裂纹,翘起,起皮,微电子,子组,可靠性试验,浸润性,焊接强度,性满足,粘接,元器件,铝丝,N2,键合强度,符合标准,高可靠性,应用需求,陶瓷基板
AB值：
0.393922
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