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GaN器件有望在中等耐压范围内实现出色的高频工作性能
文献摘要：
1 罗姆看好哪类GaN 功率器件的市场机会?
GaN(氮化镓)和SiC (碳化硅)一样,是一种在功率器件中存在巨大潜力的材料.GaN器件作为高频工作出色的器件,在中等耐压范围的应用中备受期待.特别是与SiC相比,高速开关特性出色,因而在基站和数据中心等领域中,作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望(如图1、图2).
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
水原德健
作者机构：
罗姆半导体(北京)有限公司技术中心
文献出处：
引用格式：
[1]水原德健-.GaN器件有望在中等耐压范围内实现出色的高频工作性能)[J].电子产品世界,2022(01):14,76
A类：
GaN
B类：
耐压,出色,工作性能,看好,功率器件,市场机会,氮化镓,SiC,碳化硅,巨大潜力,中备,开关特性,基站,数据中心,开关电源,功耗,小型化,寄予厚望
AB值：
0.409276
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