典型文献
用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路设计
文献摘要：
碳化硅器件的优点不仅能提高电力电子装置功率密度,而且使设备体积小型化.文中设计了一种用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路,通过双脉冲电路对SiC MOSFET的动态特性进行测试,验证不同驱动电阻、不同频率对碳化硅功率器件特性的影响.在直流变换器中使用电压等级相同的SiC MOSFET和Si IGBT,对比开通和关断时间,将不同占空比对应的输出电压进行比较.利用PSpice软件仿真,结果显示驱动电路设计合理,验证了SiC MOSFET具有开关速度快、开关损耗小、驱动电阻小、工作频率高等优点,比Si IGBT控制的直流变换器输出电压误差小.
文献关键词：
SiC MOSFET;PSpice仿真;开关特性;开关损耗
中图分类号：
作者姓名：
韩芬;张艳肖;石浩
作者机构：
西安交通大学城市学院电气与信息工程系,陕西西安710018
文献出处：
引用格式：
[1]韩芬;张艳肖;石浩-.用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路设计)[J].电子设计工程,2022(17):109-113
A类：
B类：
直流变换器,SiC,MOSFET,驱动电路,电路设计,碳化硅器件,电力电子装置,功率密度,体积小,小型化,中设计,双脉冲电路,动态特性,驱动电阻,不同频率,功率器件,器件特性,电压等级,IGBT,开通,关断时间,占空比,输出电压,压进,PSpice,软件仿真,显示驱动,开关损耗,工作频率,电压误差,开关特性
AB值：
0.352001
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