典型文献
SiC MOSFET在Buck变换器中的应用
文献摘要：
第三代功率半导体器件碳化硅MOSFET具有开关速度快、宽禁带、低功耗、导通电阻小、工作频率高和工作温度高等优点,已成为高温、高压、高频等特殊场合的理想器件.该文设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,利用软件PSpice仿真测试SiC MOSFET的开关特性,以及驱动电阻对SiC MOSFET的影响.搭建Buck实验电路,测试SiC MOSFET和Si IGBT两种功率器件不同占空比对应的负载电压,以及不同的输入电压和开关频率对应功率器件的壳温.实验结果表明SiC MOS-FET比Si IGBT开关速度快、开关损耗小以及负载电压误差小.
文献关键词：
SiC MOSFET;开关特性;开关损耗
中图分类号：
作者姓名：
韩芬;张艳肖
作者机构：
西安交通大学城市学院 电气与信息工程系,陕西 西安710018
文献出处：
引用格式：
[1]韩芬;张艳肖-.SiC MOSFET在Buck变换器中的应用)[J].工业仪表与自动化装置,2022(01):3-7
A类：
B类：
SiC,MOSFET,Buck,变换器,第三代功率半导体,功率半导体器件,碳化硅,禁带,低功耗,导通电阻,工作频率,工作温度,温度高,驱动电路,利用软件,PSpice,仿真测试,开关特性,驱动电阻,验电,IGBT,功率器件,占空比,负载电压,输入电压,开关频率,开关损耗,电压误差
AB值：
0.400513
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