典型文献
基于GaN与SMC的高功率开关电源硬件加速设计
文献摘要：
近年来开关电源领域兴起的氮化镓(Gallium Nitride)类开关器件对电路控制算法产生了高速瞬态响应的要求,快速di/dt将引起电路失调等问题,研究发现大量文献基于滑模控制算法(Sliding Mode Control,SMC)的非连续控制特性完成了低频低功率开关电源针对Si的SMC设计,而GaN的中频高功率开关电源控制算法因为材料问题导致高频控制较难实现.因此针对GaN并通过改进算法增强电路瞬态响应与鲁棒性,减小代码存储体积.使用Simulink进行理论验证,嵌入式联调后进行算法与特殊DPWM模块的硬件加速设计,设计面积48 cm2,电路元器件数量与参数减小,电路使用寿命增加,密勒效应点降低2.5 V,硬件单元综合面积仅有63.3Kcells,DPWM控制波形在50 MHz主频下100 kHz至500 kHz可调,最高响应为1.05 MHz,最大输出功率为400 W,电源噪声为±0.8％.
文献关键词：
滑模控制;氮化镓;开关电源;硬件设计
中图分类号：
作者姓名：
焦宽祥;焦继业;霍倩楠
作者机构：
西安邮电大学电子与工程学院,陕西西安710061;西安邮电大学计算机学院,陕西西安710061
文献出处：
引用格式：
[1]焦宽祥;焦继业;霍倩楠-.基于GaN与SMC的高功率开关电源硬件加速设计)[J].电子设计工程,2022(07):30-36
A类：
3Kcells
B类：
GaN,SMC,高功率,开关电源,硬件加速,源领域,氮化镓,Gallium,Nitride,电路控制,控制算法,瞬态响应,dt,大量文,滑模控制,Sliding,Mode,Control,非连续,连续控制,控制特性,低功率,中频,电源控制,法因,改进算法,强电,代码,存储体,Simulink,理论验证,联调,DPWM,元器件,件数,密勒,单元综合,合面,MHz,主频,kHz,高响应,最大输出功率,硬件设计
AB值：
0.457307
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