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金刚石半导体器件研究概述
文献摘要：
半个多世纪以来半导体基础材料经历了从锗、硅为代表的第一代,砷化镓、磷化铟为代表的第二代,碳化硅、氮化镓、氮化铝为代表的第三代的逐步演化.在演化过程中,更快响应,更高功率,更强稳定性始终是人们不断追求的目标.尽管现有半导体器件已经极大的推动了人类文明的进步且创造了巨大的价值,但是第四代半导体材料——金刚石展现出来的各种特性依旧使人欣喜和对未来充满信心.本文将概述现阶段金刚石半导体器件研究的进展,包括金刚石材料的制备,金刚石二极管、发光二极管、三极管、场效应管,金刚石传感器,金刚石微机械等等.
文献关键词：
金刚石;CVD;金刚石半导体;金刚石功率器件;金刚石传感器
中图分类号：
作者姓名：
杜昊临;李卓然;陈喆
作者机构：
无锡市临碳电子科技有限公司,江苏无锡,214000;北京遥测技术研究所,北京,100000
文献出处：
引用格式：
[1]杜昊临;李卓然;陈喆-.金刚石半导体器件研究概述)[J].电子测试,2022(24):121-124
A类：
金刚石半导体,金刚石传感器,金刚石功率器件
B类：
半导体器件,研究概述,半个,第一代,砷化镓,磷化铟,第二代,碳化硅,氮化镓,氮化铝,第三代,快响应,高功率,强稳定性,第四代,半导体材料,欣喜,充满信心,金刚石材料,发光二极管,三极管,场效应管,微机械,CVD
AB值：
0.251791
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