典型文献
氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展
文献摘要：
Ga2O3是一种新型宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8MV/cm,Baliga优值超过3 000,因此在制作功率器件方面有很大的潜力.Ga2O3是继SiC和GaN之后制作高性能半导体器件的优选材料,近年来受到了广泛的关注.介绍了 Ga2O3材料的基本物理性质,分析了 Ga2O3基肖特基势垒二极管(SBD)的优势及存在的问题.重点从器件工艺、结构和边缘终端技术等角度评述了优化Ga2O3基SBD性能的方法,并对Ga2O3基SBD的进一步发展趋势进行了展望.
文献关键词：
氧化镓(Ga2O3);肖特基势垒二极管(SBD);外延;边缘终端;场板
中图分类号：
作者姓名：
王歌;杨帆;王方圆;杜浩毓;王晓龙;檀柏梅
作者机构：
河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
文献出处：
引用格式：
[1]王歌;杨帆;王方圆;杜浩毓;王晓龙;檀柏梅-.氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展)[J].半导体技术,2022(12):946-955
A类：
8MV,Baliga
B类：
氧化镓,肖特基势垒二极管,Ga2O3,宽禁带半导体,半导体材料,禁带宽度,eV,击穿,场理论,作功,功率器件,SiC,GaN,半导体器件,选材,本物,物理性质,SBD,边缘终端,场板
AB值：
0.294254
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