典型文献
n型GaAs欧姆接触电极制备工艺
文献摘要：
目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点.本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层.400℃氩气气氛下退火处理后,电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触,极间电阻降为原来的1/20.退火温度在400～500℃时可得到很小的比接触电阻率(10-6Ω·cm2),有利于半导体器件工作稳定性的提高,降低能耗.退火温度低于400℃或高于500℃后比接触电阻率都较大,这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的"球聚"有关.该制备方法和过程的优点为:设备成本低、流程简便、节省电极材料,具有良好的经济效益和实用价值,适合科研实验室使用.
文献关键词：
砷化镓;半导体;欧姆接触;金锗镍合金;电极材料;离子溅射;比接触电阻率
中图分类号：
作者姓名：
左芬;翟章印
作者机构：
淮阴师范学院物理系,淮安 223300
文献出处：
引用格式：
[1]左芬;翟章印-.n型GaAs欧姆接触电极制备工艺)[J].人工晶体学报,2022(04):606-610
A类：
AuGeNi,金锗镍合金
B类：
GaAs,欧姆接触,电极制备,制备工艺,制备方法,蒸镀,费电,电极材料,离子溅射,溅射法,优化制备,制备过程,表面光,无偏,偏析,氩气,气气,退火处理,肖特基接触,触变,降为,退火温度,比接触电阻率,半导体器件,工作稳定性,降低能耗,设备成本,省电,科研实验室,砷化镓
AB值：
0.259868
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