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MEE生长参数对复合衬底材料质量的影响
文献摘要：
Si基CdTe中ZnTe缓冲层的生长影响着材料表面粗糙度和半峰宽.本文为了验证分子束外延Si基CdTe中采用迁移增强外延(MEE)技术生长的ZnTe缓冲层的生长参数对复合衬底材料表面粗糙度和半峰宽的影响,对涉及到的MEE生长过程中的主要参数包括:Zn与Te数值比、MEE生长温度、Zn与Te束流强度值进行研究,设计了三组实验,并使用高分辨X光衍射仪、白光干涉仪和红外傅里叶光谱仪测试外延薄膜生长结果,总结MEE生长参数对复合衬底材料质量影响,通过实验得到最优的外延工艺条件,提高材料质量.
文献关键词：
碲化锌;碲化镉;迁移增强外延;粗糙度;半峰宽
中图分类号：
作者姓名：
李震;高达;王丛;胡雨农
作者机构：
华北光电技术研究所,北京 100015
文献出处：
引用格式：
[1]李震;高达;王丛;胡雨农-.MEE生长参数对复合衬底材料质量的影响)[J].激光与红外,2022(05):726-729
A类：
迁移增强外延,碲化锌
B类：
MEE,生长参数,衬底,材料质量,Si,CdTe,ZnTe,缓冲层,生长影响,表面粗糙度,半峰宽,分子束外延,生长过程,主要参数,束流强度,光衍射,白光干涉仪,傅里叶光谱,光谱仪测试,外延薄膜,薄膜生长,生长结果,质量影响,外延工艺,工艺条件,高材,碲化镉
AB值：
0.360879
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