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利用Al/AlAs中间层调控GaAs在Si(111)上外延生长的研究
文献摘要：
为了实现Ⅲ-V器件在硅基平台上单片集成,近年来Ⅲ-V半导体在硅衬底上的异质外延得到了广泛研究.由于Ⅲ-V半导体与Si之间大的晶格失配以及晶格结构不同,在Si上生长的Ⅲ-V半导体中存在较多的失配位错及反相畴,对器件性能造成严重影响.而Si(111)表面的双原子台阶可以避免Ⅲ-V异质外延过程中形成反相畴.本文利用分子束外延技术通过Al/AlAs作为中间层首次在Si(111)衬底上外延生长了GaAs(111)薄膜.通过一系列对比实验验证了Al/AlAs中间层的插入对GaAs薄膜质量的调控作用,并在此基础上通过低温-高温两步法优化了GaAs的生长条件.结果表明Al/AlAs插层可以为GaAs外延生长提供模板,并在一定程度上释放GaAs与Si之间的失配应力,从而使GaAs薄膜的晶体质量得到提高.以上工作为Ⅲ-V半导体在硅上的生长提供了新思路.
文献关键词：
分子束外延;Ⅲ-V族半导体;硅基砷化镓;异质外延;硅基集成
中图分类号：
作者姓名：
常梦琳;樊星;张微微;姚金山;潘睿;李晨;芦红
作者机构：
南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093;南京大学现代工程与应用科学学院,南京 210023;江苏省功能材料设计原理与应用技术重点实验室,南京 210023
文献出处：
引用格式：
[1]常梦琳;樊星;张微微;姚金山;潘睿;李晨;芦红-.利用Al/AlAs中间层调控GaAs在Si(111)上外延生长的研究)[J].人工晶体学报,2022(11):1815-1822
A类：
硅基砷化镓
B类：
AlAs,中间层,GaAs,Si,外延生长,单片集成,硅衬底,异质外延,晶格失配,晶格结构,上生,配位,位错,反相畴,器件性能,子台,分子束外延,薄膜质量,两步法,生长条件,插层,晶体质量,上工,硅基集成
AB值：
0.287449
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