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对915 nm InGaAsP/GaAsP初次外延片量子阱混杂的研究
文献摘要：
高输出功率和长期可靠性是高功率半导体激光器得以广泛应用的前提,但高功率密度下腔面退化导致的光学灾变损伤(COD)制约了激光器的最大输出功率和可靠性.为了提高915 nm InGaAsP/GaAsP半导体激光器的COD阈值,利用金属有机物化学气相沉积设备来外延生长初次样片.探讨了量子阱混杂对初次外延片发光的影响.此外,使用光致发光谱测量了波峰蓝移量和发光强度.实验结果表明,在退火温度为890℃、退火时间为10 min条件下,波峰蓝移量达到了62.5 nm.对初次外延片进行量子阱混杂可得到较大的波峰蓝移量,且在退火温度为800～890℃、退火时间为10 min的条件下峰值强度均保持在原样片峰值强度的75％以上.
文献关键词：
激光器;高功率半导体激光器;快速热退火;量子阱混杂;光学灾变损伤;非吸收窗口
中图分类号：
作者姓名：
何天将;井红旗;朱凌妮;刘素平;马骁宇
作者机构：
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,北京100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]何天将;井红旗;朱凌妮;刘素平;马骁宇-.对915 nm InGaAsP/GaAsP初次外延片量子阱混杂的研究)[J].光学学报,2022(01):184-190
A类：
B类：
InGaAsP,量子阱混杂,高输出,高功率半导体激光器,高功率密度,下腔,光学灾变损伤,COD,最大输出功率,金属有机物化学气相沉积,外延生长,样片,光致发光谱,光谱测量,波峰,蓝移,发光强度,退火温度,退火时间,峰值强度,原样,快速热退火,非吸收窗口
AB值：
0.246669
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