典型文献
Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究
文献摘要：
腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一,量子阱混杂技术是最常用的解决腔面灾变性光学损伤的方法.为了制备高功率、高可靠性半导体激光器单管器件,对Si杂质诱导量子阱混杂工艺进行了探索.本文使用Si介质层作为扩散源,采用管式炉高温退火的方法进行Si杂质扩散诱导量子阱混杂研究.实验并分析了介质膜厚度、退火条件、量子垒材料、牺牲层材料等因素对InGaAs/GaAs(P)量子阱蓝移量的影响.实验发现,量子阱和量子垒的混杂效果随着扩散时间以及退火温度增加而增大,且对温度尤其敏感.当退火条件为780℃、10 h时,InGaAs/GaAsP结构的波长蓝移量达到70.5 nm,量子垒为GaAsP时比GaAs有更好的促进蓝移效果.相同外延结构下,InGaP牺牲层结构相比AlGaAs牺牲层有更大的波长蓝移.
文献关键词：
量子阱混杂;半导体激光器;腔面光学灾变损伤
中图分类号：
作者姓名：
王予晓;朱凌妮;仲莉;孔金霞;刘素平;马骁宇
作者机构：
中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程中心, 北京 100083;中国科学院大学 电子电气与通信工程学院, 北京 100049;中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]王予晓;朱凌妮;仲莉;孔金霞;刘素平;马骁宇-.Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究)[J].中国光学,2022(03):426-432
A类：
B类：
Si,杂质扩散,InGaAs,量子阱混杂,腔面光学灾变损伤,半导体激光器,输出功率,杂技,高功率,高可靠性,单管,杂工,扩散源,管式炉,高温退火,介质膜,膜厚度,退火条件,蓝移,扩散时间,退火温度,GaAsP,InGaP,AlGaAs
AB值：
0.251285
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