典型文献
基于InGaP/GaAs HBT工艺超宽带高线性度单片放大器
文献摘要：
为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器的线性度和稳定静态电流.同时,为了扩展放大器的带宽和提高增益平坦度,设计了负反馈电路结构.基于2μm磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)工艺和达林顿结构,设计了单片微波放大器.电磁仿真结果表明:在5 V电压供电下,静态功耗为0.17 W,本放大器在0.05～10 GHz频率范围内,小信号增益最大为21 dB,输出功率三阶交调点最大为31.1 dBm,输出功率1 dB压缩点最大为16.1 dBm,回波损耗均小于-10 dB,高低温下静态电流波动±1.5 mA.
文献关键词：
超宽带;高线性度;放大器;GaAs HBT;动态偏置;有源偏置;达林顿结构
中图分类号：
作者姓名：
陈仲谋;张博
作者机构：
西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121
文献出处：
引用格式：
[1]陈仲谋;张博-.基于InGaP/GaAs HBT工艺超宽带高线性度单片放大器)[J].电子元件与材料,2022(01):83-88
A类：
达林顿结构
B类：
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AB值：
0.298902
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