典型文献
锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展
文献摘要：
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有良好的温度特性,可承受-180～+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景.然而,SiGe HBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征.本文详述了SiGe HBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGe HBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展.研究表明,SiGe HBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题.由于工艺的不同,国产SiGe HBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应.
文献关键词：
锗硅异质结双极晶体管;单粒子效应;总剂量效应;低剂量率辐射损伤增强效应;电离总剂量/单粒子效应协同效应;电离总剂量/位移损伤协同效应
中图分类号：
作者姓名：
李培;贺朝会;郭红霞;张晋新;魏佳男;刘默寒
作者机构：
西安交通大学 核科学与技术学院,陕西 西安 710049;西北核技术研究院,陕西 西安 710024;西安电子科技大学空间科学与技术学院,陕西 西安 710126;模拟集成电路国家重点实验室,重庆 400060;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011
文献出处：
引用格式：
[1]李培;贺朝会;郭红霞;张晋新;魏佳男;刘默寒-.锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(06):523-534
A类：
锗硅异质结双极晶体管,低剂量率辐射损伤增强效应
B类：
空间辐射效应,带隙,SiGe,HBT,温度特性,+200,极端温度,极端环境,诱人,工艺结构,新特征,体硅,复杂特征,详述,单粒子效应,总剂量效应,位移损伤效应,空间应用,瓶颈问题,电离总剂量
AB值：
0.157379
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