典型文献
基于GaAs HBT有源自适应偏置的高线性度功率放大器设计
文献摘要：
采用2μm砷化镓(GaAs)异质结双极型晶体管(HBT)工艺设计和实现了一种3.3～3.8 GHz的高线性度射频(RF)功率放大器(PA).采用了一种改进的有源自适应偏置电路结构,既提高了静态偏置电流的稳定性和可控性,又对增益压缩起到了抑制作用.优化了各级匹配网络,抑制了谐波分量的影响,在低电源电压下实现了较高的增益和良好的线性指标.仿真结果显示:测量的小信号增益大于33.4 dB;1 dB压缩点功率为31.3 dBm@3.55 GHz;功率附加效率超过30％@3.55 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-50 dBc.实测数据表明:小信号增益大于31.2 dB;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-40 dBc;输出功率为27.56 dBm时,相邻信道泄露比为-37.62 dBc.
文献关键词：
射频功率放大器;有源自适应偏置电路;匹配网络;高线性度
中图分类号：
作者姓名：
焦凌彬;姚凤薇
作者机构：
上海电机学院 电子信息学院, 上海 201306
文献出处：
引用格式：
[1]焦凌彬;姚凤薇-.基于GaAs HBT有源自适应偏置的高线性度功率放大器设计)[J].电子元件与材料,2022(11):1202-1208
A类：
有源自适应偏置电路
B类：
GaAs,HBT,高线性度,砷化镓,异质结双极型晶体管,工艺设计,设计和实现,GHz,RF,PA,电路结构,可控性,缩起,匹配网络,谐波分量,低电源电压,小信号,信号增益,dBm,功率附加效率,输出功率,IMD3,dBc,相邻信道,射频功率放大器
AB值：
0.247338
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