典型文献
单粒子辐射导致的VDMOS体二极管反向I-V曲线蠕变现象研究
文献摘要：
单粒子辐射后,VDMOS器件体二极管反向I-V曲线发生蠕变的特殊失效现象被首次观察到.室温下,当VDMOS的栅极浮空,漏极电压加到一定值时(远低于VDMOS击穿电压),漏电流增大,体二极管I-V曲线开始漂移并最终稳定,形成电阻型曲线.通过测试VDMOS器件及其体二极管辐射后的电参数,分析漏电流的产生原因,研究体二极管反向I-V曲线发生蠕变现象的失效机制,并提出基于界面态、中性空穴陷阱,包括空穴激发、多级空穴俘获和能带隧穿机制的空穴迁移模型.基于该模型给出了单粒子辐射导致的VDMOS体二极管漏电流的表达式.此外,通过温度实验和漏极应力实验来验证空穴迁移模型.
文献关键词：
蠕变;体二极管;反向I-V曲线;单粒子辐射;中性空穴陷阱;空穴迁移
中图分类号：
作者姓名：
吴玉舟;李泽宏;李陆坪;任敏;李肇基
作者机构：
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054
文献出处：
引用格式：
[1]吴玉舟;李泽宏;李陆坪;任敏;李肇基-.单粒子辐射导致的VDMOS体二极管反向I-V曲线蠕变现象研究)[J].电子元件与材料,2022(10):1053-1059
A类：
中性空穴陷阱
B类：
单粒子辐射,VDMOS,体二极管,蠕变,变现,现象研究,栅极,浮空,击穿电压,漏电流,漂移,电参数,产生原因,失效机制,界面态,俘获,空穴迁移,迁移模型,温度实验
AB值：
0.214654
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