典型文献
GaAs HBT低噪声放大器的Pspice模型预测与分析
文献摘要：
针对传统模型因芯片封装无法利用矢量网络分析仪提取散射参数进行建模仿真的问题,对传统模型预测方法进行了改进.对一款GaAs异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)低噪声放大器(low noise amplifier,LNA)进行建模,利用低噪声放大器测量出不同外加电压条件下的I-V曲线,分析了放大器内部器件的通路情况,推算出本征参数与寄生参数,然后利用Pspice仿真软件确定参数对增益的影响,通过调整增益曲线并根据仿真结果选择最佳取值,得到了和实际测试值相吻合的曲线.对比结果表明,仿真结果与实测结果符合较好.
文献关键词：
低噪声放大器;电路建模;Pspice模型预测;异质结双极性晶体管
中图分类号：
作者姓名：
吴健煜;吴建飞;杜传报;毛从光;郑亦菲;张红丽
作者机构：
国防科技大学电子科学学院,长沙410073;天津先进技术研究院,天津300459;西北核技术研究所,西安710024
文献出处：
引用格式：
[1]吴健煜;吴建飞;杜传报;毛从光;郑亦菲;张红丽-.GaAs HBT低噪声放大器的Pspice模型预测与分析)[J].现代应用物理,2022(02):16-23
A类：
异质结双极性晶体管
B类：
GaAs,HBT,低噪声放大器,Pspice,传统模型,芯片封装,法利,矢量网络分析仪,散射参数,建模仿真,模型预测方法,异质结双极型晶体管,heterojunction,bipolar,transistor,low,noise,amplifier,LNA,外加电压,压条,推算出,寄生参数,增益曲线,实际测试,相吻合,实测结果,电路建模
AB值：
0.337256
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