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双层有源氧化物IGZTO TFT的光照特性研究
文献摘要：
研究了 一种双层有源层的氧化物IGZTO TFT器件在光照下的特性,对比单层有源层的氧化物TFT,这种双层有源层的氧化物上层比较稳定,光照下产生的光生空穴与 自由电子复合的数量大大减少,起导电作用的空穴载流子较多,故表现出了较大幅度的电流提升.进一步的研究展示了这种双层有源氧化物TFT在不同光照条件下的特性曲线,可为光敏器件提供不同的应用场景.
文献关键词：
双层有源层;铟镓锌锡氧化物;薄膜晶体管;光照特性
中图分类号：
作者姓名：
杨金玲
作者机构：
南京京东方显示技术有限公司,南京210033
文献出处：
引用格式：
[1]杨金玲-.双层有源氧化物IGZTO TFT的光照特性研究)[J].光电子技术,2022(03):218-221
A类：
IGZTO,双层有源层,铟镓锌锡氧化物
B类：
TFT,光照特性,照下,比较稳定,光生,空穴,自由电子,大大减少,载流子,光照条件,特性曲线,光敏,薄膜晶体管
AB值：
0.240165
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