典型文献
大尺寸高分辨率TFT-LCD垂直串扰的机理研究与改善
文献摘要：
随着生活质量的提升,大尺寸、高刷新频率、高分辨率的显示器件越来越受到人们的青睐.然而,高规格产品同时也会伴随更多的显示问题,垂直串扰就是其中一种.垂直串扰产生原因主要是由于数据线与像素电极之间的耦合电容Cpd以及薄膜晶体管(TFT)关闭时的漏电流Ioff使像素电压发生偏移.高分辨率8K产品由于其存储电容大幅减小、布线密集程度增大,导致其垂直串扰现象严重.本文通过软件模拟了Cpd的影响因子,再结合不同像素电极2ITO交叠面积样品的反置现象确定Cpd的影响程度,同时通过改变各项工艺参数确定最佳存储电容及漏电流条件,最后在最佳存储电容及漏电流条件下探讨与之匹配的2ITO交叠面积.在所有最优工艺条件下,不良比率由最初的55.6％下降至4.2％,画质大幅改善.
文献关键词：
垂直串扰;薄膜晶体管关态电流;耦合电容
中图分类号：
作者姓名：
盛子沫;高玉杰;刘信;冯俊;朱宁;陈晓晓;郭会斌;江鹏
作者机构：
武汉京东方光电科技有限公司,湖北武汉430040
文献出处：
引用格式：
[1]盛子沫;高玉杰;刘信;冯俊;朱宁;陈晓晓;郭会斌;江鹏-.大尺寸高分辨率TFT-LCD垂直串扰的机理研究与改善)[J].液晶与显示,2022(01):37-44
A类：
垂直串扰,Cpd,存储电容,2ITO,薄膜晶体管关态电流
B类：
大尺寸,TFT,LCD,刷新,显示器件,产生原因,数据线,像素,耦合电容,漏电流,Ioff,8K,布线,软件模拟,交叠,参数确定,下探,工艺条件,画质
AB值：
0.194971
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
