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全可见光吸收的光敏铁电材料Sn2P2S6具有增强的畴壁导电性
文献摘要：
近年来,光学调控成为一种重要的操纵宏观和微观铁电性能的非接触调控方式,为光电子器件的发展奠定了基础.然而,目前大多数功能铁电材料的光学调控都受到其本征带隙及有限的可见光吸收特性的限制.针对上述铁电材料中光学调控存在的限制,我们报道了一种全可见光吸收(300-800 nm)的非氧化物铁电单晶材料Sn2P2S6.结合缺陷分析和第一性原理计算方法揭示了光激发Sn离子的歧化反应和乌尔巴赫带尾增强可见光吸收的机制,这与Sn2P2S6的本征带隙并不矛盾.有趣的是,我们在非氧化物铁电体中观测到导电的畴壁,而且歧化反应引起光致畴壁的导电性显著增强.此外,光照条件下相反取向的铁电畴展现出明显的导电性差异,这是由电畴表面的异号电荷引起界面能带弯曲所致.该工作为全可见光吸收铁电材料中的电畴和畴壁的导电行为以及改善光电子学性能提供了一个全新的思路.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
邓建明;江兴安;刘彦昱;赵威;唐刚;李昀;徐升;汪晋辰;朱城;吴枚霞;王静;姚子硕;陈棋;王晓蕾;夏天龙;王学云;洪家旺
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引用格式：
[1]邓建明;江兴安;刘彦昱;赵威;唐刚;李昀;徐升;汪晋辰;朱城;吴枚霞;王静;姚子硕;陈棋;王晓蕾;夏天龙;王学云;洪家旺-.全可见光吸收的光敏铁电材料Sn2P2S6具有增强的畴壁导电性)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(04):1049-1056
A类：
Sn2P2S6
B类：
可见光,光敏,铁电材料,导电性,操纵,宏观和微观,铁电性能,非接触,调控方式,光电子器件,带隙,光吸收特性,非氧化物,单晶材料,缺陷分析,第一性原理计算方法,光激发,歧化反应,乌尔,尔巴,巴赫,并不矛盾,有趣,铁电体,光照条件,铁电畴,电性差异,电荷,界面能,光电子学
AB值：
0.317803
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